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2N5401YBU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N5401	文件：177.21 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistor(PNPSilicon) PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
2N5401	文件：43.63 Kbytes Page：8 Pages	PNPhigh-voltagetransistor DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N5551. FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.150V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Telephonyapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
2N5401	文件：76.73 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR AMPLIFIERTRANSISTOR ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
2N5401	文件：124.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications??? PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications	SEMTECH Semtech Corporation
2N5401	文件：109.53 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N5401	文件：145.54 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=-160V,VCEO=-150V •LowLeakageCurrent. :ICBO=-50nA(Max.)@VCB=-120V •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA •LowNoise:NF=8dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
2N5401	文件：165.17 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS 2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
2N5401	文件：202.36 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeamplifierHighvoltageapplication) Description •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=-160V,VCEO=-150V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(MAX.) •Complementarypairwith2N5551	AUK AUK
2N5401	文件：69.44 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N5401	文件：52.52 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES Collector-emittervoltage:VCEO=-150V Highcurrentgain	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N5401	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N5401	文件：720.05 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors PNPTransistors	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2N5401	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TO-92Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2N5401	文件：106.86 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克
2N5401	文件：166.71 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistorPlastic-EncapsulateTransistors PNPTransistorPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerDissipation PCM:0.625W(Tamb=25) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2N5401	文件：281.51 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW Features •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2N5401	文件：136.42 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.600mA) Highvoltage(max.160v)	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.
2N5401	文件：213.52 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
2N5401	文件：343.07 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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产品属性

产品编号：
2N5401YBU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
400MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N5401YBU	onsemi	23+	TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!-	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N5401YBU	onsemi(安森美)	23+	TO-92-3	7957	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	2N5401YBU	FAIRCHILD仙童	21+	TO92	28000	原厂原装货/代理渠道	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2N5401YBU	FSC	2021+	TO-92	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	2N5401YBU	FSC	2022	TO-92	5880	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2N5401YBU	FSC	2017+	TO-92	78459	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2N5401YBU	FSC	2339+	TO92	8858	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	2N5401YBU		TO92	12500	15	只做原装进口IOR-TI-ST,可以送样品	询价
深圳市星佑电子有限公司	2N5401YBU	FSC	06+	原厂原装	50051	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市正川电子有限公司	2N5401YBU		15+	TO92	1010	现货-ROHO	询价

更多2N5401YBU供应商更新时间2024-4-26 20:22:00

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