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2N5401	文件：280.36 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR PNPEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR HighVoltagePNPTransistorForGeneralPurposeAndTelephonyApplications.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N5401	文件：437.58 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N5401	文件：130.509 Kbytes Page：2 Pages	PNPhigh-voltagetransistor DESCRIPTION •PNPhigh-voltagetransistor •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V) •Complementsto2N5551. APPLICATIONS •DesignedforSwitchingandamplification inhighvoltageapplications,suchastelephony applications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N5401	文件：197.7 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors2N5550and2N5551arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N5401	文件：236.88 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES forgeneralpurpose,highvolt AscomplementarytypestheNPNtransistors2N5551are recommended. Lowcurrent(max.600mA),Highvoltage(max.160V)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2N5401	文件：256.17 Kbytes Page：5 Pages	Generalpurposeamplifier Description •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=-160V,VCEO=-160V •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=-0.5V(MAX.) •Complementarypairwith2N5551	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2N5401	文件：182.8 Kbytes Page：1 Pages	SERIES2NTRANSISTORS SERIES2NTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5401	文件：171.51 Kbytes Page：2 Pages	AMPLIFIERTRANSISTOR PNPSilicon	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5401	文件：574.25 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●SwitchingandAmplificationinHighVoltage ●ApplicationssuchasTelephony ●LowCurrent ●HighVoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N5401	文件：235.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
2N5401TAR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N5401TAR_Q供应商更新时间2025-5-16 15:00:00

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