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Marking：20M1H100；Package：PG-TO247-4-PLUS-NT14；CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET Features •VDSS=2000VatTvj=25°C •IDCC=26AatTc=25°C •RDS(on)=100mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Robustbodydiodeforhardcommutation •.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermal | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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