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NCE20NP1006S	文件：417.93 Kbytes Page：10 Pages	丝印：20NP1006S；Package：SOP-8；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20NP1006S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 20V,ID =10A RDS(ON) 文件：417.93 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多20NP1006S供应商更新时间2025-9-21 9:04:00