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RM20N150LD

丝印:20N150;Package:TO-252-2L;N-Channel Super Trench Power MOSFET

General Features ● VDS =150V,ID =20A RDS(ON)=59mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested

文件:294.72 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

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更多20N150供应商 更新时间2025-9-10 10:07:00