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SPA20N65C3	文件：784.74 Kbytes Page：14 Pages	丝印：20N65C3；Package：TO-220FP；Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 220 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC0 文件：784.74 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPI20N65C3	文件：784.74 Kbytes Page：14 Pages	丝印：20N65C3；Package：TO-262；Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 220 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC0 文件：784.74 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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SPA20N65C3	文件：622.31 Kbytes Page：15 Pages	丝印：20N65C3；Package：TO-220FP；New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated 文件：622.31 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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20N65C3	文件：513.45 Kbytes Page：7 Pages	Super Junction MOSFET 文件：513.45 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

详细参数

型号：
20N65C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 20.7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多20N65C3供应商更新时间2025-9-10 9:00:00

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