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IMYH200R100M1H

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

Features •VDSS=2000VatTvj=25°C •IDCC=26AatTc=25°C •RDS(on)=100mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Robustbodydiodeforhardcommutation •.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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更多IMYH200R100M1H供应商 更新时间2024-6-22 10:04:00