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FMMTL619	文件：37.21 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=160mÙat1.25A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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FMMTL619	文件：65.19 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=160mΩat1.25A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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FMMTL619TA	文件：84.02 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FSB619	文件：27.93 Kbytes Page：2 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSB619	文件：251.77 Kbytes Page：7 Pages	NPNLow-SaturationTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
ZXTD619MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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