FMMT619TA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FMMT619TA |
| 参数属性 | FMMT619TA 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 2A SOT23-3 |
| 功能描述 | 50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
162.19 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 12:51:00 |
| 人工找货 | FMMT619TA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FMMT619TA规格书详情
FMMT619TA属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的FMMT619TA晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• BVCEO > 50V
• IC = 2A Continuous Collector Current
• 625mW power dissipation
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 200mV @ 1A
• RCE(SAT) = 68mΩ for a low equivalent on-resistance
• hFE characterised up to 6A for high current gain hold-up
• Complementary PNP type: FMMT720
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable (Note 4)
Applications
• MOSFET Gate Driving
• DC-DC / DC-AC Converters
• Regulator
• LED driver
• Motor Control
产品属性
更多- 产品编号：
FMMT619TA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 50mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
165MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
2031 |
SOT23-3 |
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