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FMMT619分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

FMMT619

参数属性

FMMT619 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

功能描述

NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS

丝印标识

619

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

308.81 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

Zetex

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更新时间

2025-12-1 16:27:00

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FMMT619规格书详情

FEATURES

* 625mW POWER DISSIPATION

* IC CONT 3A

* 12A Peak Pulse Current

* Excellent HFE Characteristics Up To 12A (pulsed)

* Extremely Low Saturation Voltage E.g. 8mV Typ.

* Extremely Low Equivalent On Resistance; RCE(sat)

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT619QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 50mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 200mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    165MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

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