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FMMT619分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FMMT619
厂商型号

FMMT619

参数属性

FMMT619 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

功能描述

SOT23 NPN SILICON POWER

丝印标识

619

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

307.8 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES

中文名称

Diodes Incorporated官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-21 12:00:00

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FMMT619规格书详情

Features

• BVCEO > 15V

• IC = 3A high Continuous Collector Current

• ICM = 12A Peak Pulse Current

• RCE(sat) = 50mΩ for a low equivalent On-Resistance

• 625mW Power dissipation

• hFE specified up to 12A for high current gain hold up

• Complementary PNP Type: FMMT717

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• DC-DC / DC-AC Modules

• Regulator

• LED driver

• CCFL Backlighting Inverters

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT619QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 50mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 200mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    165MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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