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ZXTD619MCTA	文件：193.63 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 50V NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>50V •IC=4AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(100mVmax@1A) •RSAT=68mΩforLowEquivalentOnResistance •hFEspecifiedupto6Aforhighcurrentgainholdsup •DualNPNsavingfootprintandcomponentcount •Lowprofile0.8mmhig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
619	文件：1.65281 Mbytes Page：3 Pages	SOT89NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
A619ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ADG619	文件：145.3 Kbytes Page：8 Pages	CMOS-5V/5V4OHMSINGLESPDTSWITCHES GENERALDESCRIPTION TheADG619/ADG620aremonolithic,CMOSsingle-poledouble-throw(SPDT)switches.Eachswitchconductsequallywellinbothdirectionswhenthedeviceison. FEATURES 6.5Ω(maximum)onresistance 0.8Ω(maximum)on-resistanceflatness 2.7Vto5.5Vsingle	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG619BRM	文件：145.3 Kbytes Page：8 Pages	CMOS-5V/5V4OHMSINGLESPDTSWITCHES GENERALDESCRIPTION TheADG619/ADG620aremonolithic,CMOSsingle-poledouble-throw(SPDT)switches.Eachswitchconductsequallywellinbothdirectionswhenthedeviceison. FEATURES 6.5Ω(maximum)onresistance 0.8Ω(maximum)on-resistanceflatness 2.7Vto5.5Vsingle	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG619BRM	文件：365.37 Kbytes Page：16 Pages	CMOS,짹5V/5V,4廓,SingleSPDTSwitches	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG619BRM-REEL	文件：365.37 Kbytes Page：16 Pages	CMOS,짹5V/5V,4廓,SingleSPDTSwitches	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG619BRT	文件：145.3 Kbytes Page：8 Pages	CMOS-5V/5V4OHMSINGLESPDTSWITCHES GENERALDESCRIPTION TheADG619/ADG620aremonolithic,CMOSsingle-poledouble-throw(SPDT)switches.Eachswitchconductsequallywellinbothdirectionswhenthedeviceison. FEATURES 6.5Ω(maximum)onresistance 0.8Ω(maximum)on-resistanceflatness 2.7Vto5.5Vsingle	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG619BRT-REEL	文件：365.37 Kbytes Page：16 Pages	CMOS,짹5V/5V,4廓,SingleSPDTSwitches	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BB619	文件：26.7 Kbytes Page：2 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(FortuningofextendedfrequencybandsinVHFTV/VTRtuners) SiliconVariableCapacitanceDiode ●FortuningofextendedfrequencybandsinVHFTV/VTRtuners	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

详细参数

型号：
ZXTD619MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	ZXTD619MCTA	DIODES(美台)	24+	DFN-8-EP(3x2)	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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