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ZXTN2010GTA

60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

DESCRIPTION Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extremely low equivalent on-resistance; RSAT = 35mV at 6A • 6 amps

文件:122.74 Kbytes 页数:6 Pages

ZETEX

ZXTN2010GTA

60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

DESCRIPTION Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extremely low equivalent on-resistance; RSAT = 35mV at 6A • 6 amps

文件:143.1 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

ZXTN2010GTA

60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR

文件:489.33 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

ZXTN2010GTA

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTN2010GTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    260mV @ 300mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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