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ZXTP2039FTA	文件：154.43 Kbytes Page：5 Pages	SOT23 80 volt PNP silicon planar medium power transistor Description This transistor combines high gain, high current operation and low saturation voltage making it ideal for power MOSFET gate driving and low loss power switching. Features ■ Low saturation voltage for reduced power dissipation ■ 1 to 2 amp high current capability ■ Pb-free ■ SOT2 文件：154.43 Kbytes 页数：5 Pages	Zetex	Zetex
ZXTP2039FTA	文件：161.24 Kbytes Page：5 Pages	SOT23 80 volt PNP silicon planar medium power Description This transistor combines high gain, high current operation and low saturation voltage making it ideal for power MOSFET gate driving and low loss power switching. Features ■ Low saturation voltage for reduced power dissipation ■ 1 to 2 amp high current capability ■ Pb-free ■ SOT2 文件：161.24 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP2039FTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A SOT23-3	PAM 龙鼎微	PAM
ZXTP2039FTC	文件：161.24 Kbytes Page：5 Pages	SOT23 80 volt PNP silicon planar medium power Description This transistor combines high gain, high current operation and low saturation voltage making it ideal for power MOSFET gate driving and low loss power switching. Features ■ Low saturation voltage for reduced power dissipation ■ 1 to 2 amp high current capability ■ Pb-free ■ SOT2 文件：161.24 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP2039FTC	文件：154.43 Kbytes Page：5 Pages	SOT23 80 volt PNP silicon planar medium power transistor Description This transistor combines high gain, high current operation and low saturation voltage making it ideal for power MOSFET gate driving and low loss power switching. Features ■ Low saturation voltage for reduced power dissipation ■ 1 to 2 amp high current capability ■ Pb-free ■ SOT2 文件：154.43 Kbytes 页数：5 Pages	Zetex	Zetex

产品属性

产品编号：
ZXTP2039FTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

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