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ZXTP2012ZTA	文件：122.04 Kbytes Page：6 Pages	60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethisnewlowsaturation60VPNPtransistorofferslowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuits,lineswitchingandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES •Extremelylowequivalenton-resistance;RSAT=32mVat5A •4	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTP2012ZTA	文件：131.77 Kbytes Page：6 Pages	60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features •BVCEO>-60V •IC=-4.3AHighContinuousCurrent •RSAT=32mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTP2012ZTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 4.3A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
ZXTR2012FF	文件：409.79 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V30mAREGULATORTRANSISTORINSOT23F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012K	文件：278.51 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V50mAREGULATORTRANSISTOR Description TheZXTR2012Kmonolithicallyintegratesatransistor,zenerdiodeandresistortofunctionasahigh-voltagelinearregulator.Thedeviceregulateswitha12Vnominaloutputat15mA.It’sdesignedforuseinhigh-voltageapplicationswherestandardlinearregulatorscannotbeused.Th	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012K	文件：383.95 Kbytes Page：7 Pages	REGULATORTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012Z	文件：376.94 Kbytes Page：7 Pages	REGULATORTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012Z	文件：337.35 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V30mAREGULATORTRANSISTOR Description TheZXTR2012Zmonolithicallyintegratesatransistor,Zenerdiodeandresistortofunctionasahighvoltagelinearregulator.Thedeviceregulateswitha12Vnominaloutputat15mA.Itisdesignedforuseinhighvoltageapplicationswherestandardlinearregulatorscannotbeused.T	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
ZXTP2012ZTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
215mV @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS PNP 60V 4.3A SOT89-3

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