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ZXTN2010GTA 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 DIODES/美台半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
ZXTN2010GTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
260mV @ 300mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，1V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-3
- 描述：
TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
供应商
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