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ZXTN25100BFHTA	文件：391.47 Kbytes Page：6 Pages	100V, SOT23, medium power transistor Description Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium. Features • High power dissip 文件：391.47 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex
ZXTN25100BFHTA	文件：398.83 Kbytes Page：6 Pages	100V, SOT23, medium power transistor Features • BVCEO > 100V • BVCEX > 170V Forward Blocking Voltage • BVECO > 6V Reverse Blocking Voltage • IC = 3A high Continuous Collector Current • Low Saturation Voltage, VCE(SAT) 文件：398.83 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100BFHTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DFH	文件：391.88 Kbytes Page：6 Pages	100V, SOT23, NPN medium power transistor Description Advanced process capability and package design have been used to maximise the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium. Features • High power dissip 文件：391.88 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex
ZXTN25100DFH	文件：391.69 Kbytes Page：6 Pages	100V, SOT23, NPN medium power transistor Description Advanced process capability and package design have been used to maximise the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium. Features • High power dissip 文件：391.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DFHTA	文件：391.69 Kbytes Page：6 Pages	100V, SOT23, NPN medium power transistor Description Advanced process capability and package design have been used to maximise the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium. Features • High power dissip 文件：391.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
ZXTN25100BFHTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
160MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 100V 3A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ZXTN25100BFHTA	DIODES/美台	25+	SOT23	32360	DIODES/美台全新特价ZXTN25100BFHTA即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多ZXTN25100BFHTA供应商更新时间2025-12-15 20:18:00

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