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ZXTN25100BFHTA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXTN25100BFHTA
厂商型号

ZXTN25100BFHTA

参数属性

ZXTN25100BFHTA 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A SOT23-3

功能描述

100V, SOT23, medium power transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

398.83 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-2 18:04:00

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ZXTN25100BFHTA规格书详情

特性 Features

• BVCEO > 100V

• BVCEX > 170V Forward Blocking Voltage

• BVECO > 6V Reverse Blocking Voltage

• IC = 3A high Continuous Collector Current

• Low Saturation Voltage, VCE(SAT) < 80mV @1A

• RCE(SAT) = 67mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• 1.25W Power Dissipation

• hFE Specified up to 3A for High Current Gain Hold Up

• Complementary PNP Type: ZXTP25100BFH

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• Lamp Relay and Solenoid Drivers

• General Switching in Automotive and Industrial Applications

• Motor Drive and Control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTN25100BFHTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    160MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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