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ZXTP2008GTA

30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

DESCRIPTION Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 30V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • 5.5 Amps continuous current • Up to 20 amps peak current • Very l

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ZETEX

ZXTP2008GTA

30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

DESCRIPTION Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 30V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • 5.5 Amps continuous current • Up to 20 amps peak current • Very l

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DIODES

美台半导体

ZXTP2008GTA

30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR

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DIODES

美台半导体

ZXTP2008GTA

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTP2008GTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    210mV @ 500mA,5.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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