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ZXTP03200BZTA

200V PNP Low VCE(sat) transistor

Description Packaged in the SOT89 outline this new 5th generation low saturation 200V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions Features • 2 Amps continuous current • Up to 5 Amps peak curren

文件:175.79 Kbytes 页数:8 Pages

Zetex

ZXTP03200BZTA

200V PNP LOW VCE(sat ) TRANSISTOR IN SOT-89

Features • BVCEO > -200V • BVECO > -2V • Continuous current IC(cont) = 2A • VCE(sat

文件:305.71 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

ZXTP03200BZTA

Package:TO-243AA;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 200V 2A SOT89-3

PAM

龙鼎微

ELK03200

ZERO INSERTION PRESSURE SOCKET

文件:196.7 Kbytes 页数:3 Pages

ECE

百容电子

FXPT03200

FXP FlexiPlug짰 HYBRID PLUGGABLE BLOCK Screw/Pressure-Plate Termination

文件:451.62 Kbytes 页数:4 Pages

AMPHENOL

安费诺

FXPT03200E

FXP FlexiPlug짰 HYBRID PLUGGABLE BLOCK Screw/Pressure-Plate Termination

文件:451.62 Kbytes 页数:4 Pages

AMPHENOL

安费诺

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTP03200BZTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    260mV @ 400mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    105MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS PNP 200V 2A SOT89-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT89
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更多ZXTP03200BZTA供应商 更新时间2025-10-4 9:11:00