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FMMT619TC	文件：162.19 Kbytes Page：7 Pages	50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT619TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 2A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
FMMTL619	文件：37.21 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=160mÙat1.25A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMTL619	文件：77.57 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMTL619	文件：65.19 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=160mΩat1.25A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMTL619	文件：84.01 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHGAIN Features •BVCEO>50V •IC=1.25AContinuousCollectorCurrent •500mWPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMTL619TA	文件：84.02 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FSB619	文件：27.93 Kbytes Page：2 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSB619	文件：251.77 Kbytes Page：7 Pages	NPNLow-SaturationTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G619B	文件：97.44 Kbytes Page：1 Pages	T-1,(3-mm)Round,PCBMount,RightAnleArray,G61XBSeries [IDEA] T-1,(3-mm)Round,PCBMountRightAngleArray,G61XBSeries TheG61XBisaT-1sizeright-angleindicatorarray.TheLEDsarelocatedon4.57mm(0.18)centers.TheG61XBcanbesuppliedwiththedesiredlampspreassembledfrom1to9sectionslong.(G611BthruG619B)Thisseriesprovides	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

产品属性

产品编号：
FMMT619TC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 50mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
165MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 50V 2A SOT23-3

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