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FMMTL619TA

SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件:84.02 Kbytes 页数:3 Pages

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未分类制造商

FMMTL619TA

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 1.25A SOT23-3

DIODES

美台半导体

FSB619

NPN Low Saturation Transistor

NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous.

文件:27.93 Kbytes 页数:2 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB619

NPN Low-Saturation Transistor

文件:251.77 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

G619B

T-1, (3-mm) Round, PCB Mount, Right Anle Array, G61XB Series

[IDEA] T-1, (3-mm) Round, PCB Mount Right Angle Array, G61XB Series The G61XB is a T-1 size right-angle indicator array. The LEDs are located on 4.57 mm(0.18) centers. The G61XB can be supplied with the desired lamps preassembled from 1 to 9 sections long. (G611B thru G619B) This series provides

文件:97.44 Kbytes 页数:1 Pages

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未分类制造商

产品属性

  • 产品编号:

    FMMTL619TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    330mV @ 125mA,1.25A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    180MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 1.25A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FMMTL619TA供应商 更新时间2026-1-26 20:25:00