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FMN-1106S

Silicon Diode

Description The FMN-1106S is a fast recovery diode of 600 V / 10 A, and has a low forward voltage drop characteristic. The maximum trr of 100 ns is realized by optimizing a life-time control. Features ● VRM------------------------------------------------------ 600 V ● IF(AV)-------------------

文件:137.96 Kbytes 页数:5 Pages

SANKEN

三垦

FMN-1106S

Silicon Diode

文件:138.27 Kbytes 页数:5 Pages

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三垦

FMN-1106S

超高速整流二极管

适用于高频整流的低损耗电源用二极管。 ・超高速\n・低损耗\n・低 VF\n・TO220F 型高散热封装;

Sanken

三垦

FMN-1106S

Package:TO-220-2 整包;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

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产品属性

  • 产品编号:

    FMN-1106S

  • 制造商:

    Sanken

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-2L

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

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更多FMN-1106S供应商 更新时间2026-4-23 15:36:00