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MAX619	文件：66.41 Kbytes Page：7 Pages	Regulated5VCharge-PumpDC-DCConverter GeneralDescription TheMAX619step-upcharge-pumpDC-DCconverterdeliversaregulated5V±4outputat50mAovertemperature.Theinputvoltagerangeis2Vto3.6V(twobatterycells). ThecompleteMAX619circuitfitsintolessthan0.1in2ofboardspacebecauseitrequiresonlyfourexternalc	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
ZXTN619MA	文件：161.11 Kbytes Page：7 Pages	50VNPNLOWSATURATIONTRANSISTOR Features •BVCEO>50V •IC=4AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(100mVMax@1A) •RSAT=68mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFESpecifiedupto6AforHighCurrentGainHoldUp •LowProfile0.6mmHighPackageforThinApplications •RJAEfficient,60Lowerth	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN619MATA	文件：161.11 Kbytes Page：7 Pages	50VNPNLOWSATURATIONTRANSISTOR Features •BVCEO>50V •IC=4AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(100mVMax@1A) •RSAT=68mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFESpecifiedupto6AforHighCurrentGainHoldUp •LowProfile0.6mmHighPackageforThinApplications •RJAEfficient,60Lowerth	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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MAX619

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Regulated5VCharge-PumpDC-DCConverter

GeneralDescription TheMAX619step-upcharge-pumpDC-DCconverterdeliversaregulated5V±4outputat50mAovertemperature.Theinputvoltagerangeis2Vto3.6V(twobatterycells). ThecompleteMAX619circuitfitsintolessthan0.1in2ofboardspacebecauseitrequiresonlyfourexternalc

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Maxim

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50VNPNLOWSATURATIONTRANSISTOR

Features •BVCEO>50V •IC=4AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(100mVMax@1A) •RSAT=68mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFESpecifiedupto6AforHighCurrentGainHoldUp •LowProfile0.6mmHighPackageforThinApplications •RJAEfficient,60Lowerth

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详细参数

型号：
ZXTD619MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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