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UPA807	文件：56.87 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Current, High Gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179) 文件：56.87 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA807	文件：300 bytes Page：1 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD	Renesas 瑞萨	Renesas
UPA807T	文件：273.74 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Current, High Gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Bu 文件：273.74 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA807T	文件：56.87 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Current, High Gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179) 文件：56.87 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA807T-T1	文件：56.87 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Current, High Gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179) 文件：56.87 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA807T-T1	文件：273.74 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Current, High Gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Bu 文件：273.74 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA807T	文件：252.11 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：252.11 Kbytes 页数：12 Pages	CEL	CEL
UPA807T-T1-A	文件：252.11 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：252.11 Kbytes 页数：12 Pages	CEL	CEL
UPA807T	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL	CEL

详细参数

型号：
UPA807
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	UPA807F-T1B	NEC	24+	SOT-363/SOT-323-6	8230	新进库存/原装	询价
深圳市恒创达实业有限公司	UPA807T	NEC	17+	SOT-363	6200	100%原装正品现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	UPA807T-T1	原厂正品	23+	SOT363	33000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	UPA807T	NEC	24+		5000	只做原装公司现货	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	UPA807T-T1	NEC	1701+	SOT363	21000	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	UPA807T-T1	NEC	22+	SOT363	8200	全新进口原装现货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	UPA807T-T1	MINI	24+	SMD其他电子元	17	一级代理全新原装现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	UPA807T	N/A	23+	NA	2676	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	UPA807T	NEC	25+23+	SOT-363	43065	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	UPA807T/T84	NEC	15+	SOT-363	6698		询价

更多UPA807供应商更新时间2026-4-17 10:20:00

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