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UPA807T

SILICON TRANSISTOR

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2ELEMENTS)SUPERMINIMOLD FEATURES •LowCurrent,HighGain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Bu

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA807T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

FEATURES •LowCurrent,HighGain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2SC5179)

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPA807T

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA807T-T1

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

FEATURES •LowCurrent,HighGain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2SC5179)

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPA807T-T1

SILICON TRANSISTOR

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2ELEMENTS)SUPERMINIMOLD FEATURES •LowCurrent,HighGain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Bu

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA807T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

详细参数

  • 型号:

    UPA807T

  • 制造商:

    NEC/CEL

  • 功能描述:

    New

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
24+
SOT-363/SOT-323-6
44200
新进库存/原装
询价
NEC
17+
SOT-363
6200
100%原装正品现货
询价
NEC
16+
SOT-363
10000
进口原装现货/价格优势!
询价
NEC
23+
SOT363
4000
全新原装
询价
NEC
24+
5000
只做原装公司现货
询价
N/A
23+
NA
2676
专做原装正品,假一罚百!
询价
NEC
25+23+
SOT-363
43065
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
询价
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
询价
NEC
2022
SOT-363 / SOT-323-6
44200
全新原装现货热卖
询价
NEC
23+
SOT-363SC-88
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
更多UPA807T供应商 更新时间2025-7-13 16:00:00