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UPA2794GR-E1-AZ	文件：349.65 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2794GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=2.8A) RDS(on)2=33mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=2.8A) P-channelRDS(on)1=43mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2794GR-E1-AZ

文件：349.65 Kbytes

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2794GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=2.8A) RDS(on)2=33mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=2.8A) P-channelRDS(on)1=43mΩMAX.(VGS

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更多UPA2794GR-E1供应商更新时间2025-5-29 16:03:00

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