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UPA2807T1L	文件：215.54 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The μ PA2807T1L is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer and Lithium-Ion battery protection circuit. Features • VDSS 30 V (TA = 25°C) • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 34 A) • 4.5 文件：215.54 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2807T1L-E1-AT	文件：215.54 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The μ PA2807T1L is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer and Lithium-Ion battery protection circuit. Features • VDSS 30 V (TA = 25°C) • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 34 A) • 4.5 文件：215.54 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2807T1L-E2-AT	文件：215.54 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The μ PA2807T1L is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer and Lithium-Ion battery protection circuit. Features • VDSS 30 V (TA = 25°C) • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 34 A) • 4.5 文件：215.54 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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