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UPA2810	文件：359.49 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2810isP-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=12mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−6.5A) •Built-ingateprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2810T1L-E1-AY	文件：359.49 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2810isP-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=12mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−6.5A) •Built-ingateprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2810T1L-E2-AY	文件：359.49 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2810isP-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=12mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−6.5A) •Built-ingateprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VDA2810CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA2810NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
WCS2810	文件：714.88 Kbytes Page：5 Pages	HallEffectBaseLinearCurrentSensor Features: Lownoiseanalogsignalpath 0.5mΩinternalconductorresistance OutputvoltageproportionaltoACandDCcurrent CurrentSensingrange0～10Aat5Vvoltagesupply HighSensitivity135mV/A Wideoperatingvoltagerange3.0～12V Lowoperatingcurrent3mA Nearlyzer	DIWELL DIWELL Electronics Co., Ltd.	DIWELL
WL2810	文件：2.11111 Mbytes Page：12 Pages	Lownoise,HighPSRR,Highspeed,CMOSLDO	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
XOPA2810IDCNT	文件：2.38836 Mbytes Page：48 Pages	DualChannel,27V,Rail-to-RailInput/OutputFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
XOPA2810IDCNT	文件：468.67 Kbytes Page：28 Pages	DualHigh-Performance,Low-Power,WideSupplyRange,Rail-to-RailInput/OutputFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
XOPA2810IDCNT	文件：2.38955 Mbytes Page：48 Pages	DualChannel,27V,Rail-to-RailInput/OutputFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
UPA2810
功能描述：
MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA2810供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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