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UPA2811T1L-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The μ PA2811T1L is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converter and power management applications of portable equipment. Features • VDSS −30 V (TA = 25°C) • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 15 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −19 A) • 4.5 V Gate-drive availa

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RENESAS

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UPA572T-T1B

SOT353

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更多UPA2811T1L-E1-AY供应商 更新时间2026-2-4 11:10:00