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UPA507TE-T1-A

MOS FET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE

P-CHANNELMOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE FORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA507TEisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectly bya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-state resistanceandexcellentswitchingcharacteristicsandalow

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA507TE-T1-AT

MOS FET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE

P-CHANNELMOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE FORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA507TEisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectly bya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-state resistanceandexcellentswitchingcharacteristicsandalow

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更多UPA507TE-T1-A供应商 更新时间2024-5-22 14:02:00