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UPA2804T1L-E1-AT	文件：217.02 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheμPA2804isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. Features •VDSS30V(TA=25°C) •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=6.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) •4.5V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2804T1L-E1-AT

文件：217.02 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2804isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. Features •VDSS30V(TA=25°C) •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=6.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) •4.5V

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更多UPA2804T1L-E1-AT供应商更新时间2024-6-24 14:18:00

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