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UPA2803T1L-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The μ PA2803 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications of portable equipments. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 5.8 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A) RDS(on)2 = 9.5 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 10 A) • Built-in gate protection d

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RENESAS

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UPA572T-T1B

SOT353

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UPA672T

SOT363

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UPA810T-T1

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更多UPA2803T1L-E2-AY供应商 更新时间2026-2-4 14:17:00