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UPA2803T1L-E2-AY

文件：373.78 Kbytes

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2803isN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=20A) RDS(on)2=9.5mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=10A) •Built-ingateprotectiond

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更多UPA2803T1L-E2-AY供应商更新时间2024-5-27 10:20:00

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