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STW55NM50N	文件：350.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 54A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.054Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：350.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STW55NM50N	文件：354.64 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 500 V, 0.040 廓, 54 A, MDmesh??II Power MOSFET TO-247 文件：354.64 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STW56N60DM2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	ST 上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	ST

详细参数

型号：
STW55NM50N
功能描述：
MOSFET N-channel 500V, 54 A Power II Mdmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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