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STW6NB100	文件：86.73 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 1000V - 2.3ohm - 5.4A - TO-247 PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnology,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMosfetswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,except	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW6NB100	文件：351.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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STW6NB100

文件：86.73 Kbytes

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N - CHANNEL 1000V - 2.3ohm - 5.4A - TO-247 PowerMESH MOSFET

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnology,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMosfetswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,except

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STW6NB100

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
STW6NB100
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
MOSFET N TO-247

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更多STW6NB100供应商更新时间2025-5-13 15:55:00

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