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STW7NC80Z	文件：248.75 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY™ Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested b 文件：248.75 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW7NC80Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET	ST 意法半导体	ST
P7NC80ZF	文件：542.38 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY™ Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested b 文件：542.38 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB7NC80Z	文件：542.38 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY™ Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested b 文件：542.38 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP7NC80Z	文件：542.38 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY™ Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested b 文件：542.38 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW7NC80Z
功能描述：
MOSFET TO-247
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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