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STW7NC80Z	文件：248.75 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-to-backZenerdiodesbetweengateandsource.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequestedb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW7NC80Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET;	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
P7NC80ZF	文件：542.38 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL800V-1.3ohm-6.5ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKZener-ProtectedPowerMESH?줚IIMOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-to-backZenerdiodesbetweengateandsource.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequestedb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB7NC80Z	文件：542.38 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL800V-1.3ohm-6.5ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKZener-ProtectedPowerMESH?줚IIMOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-to-backZenerdiodesbetweengateandsource.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequestedb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP7NC80Z	文件：542.38 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL800V-1.3ohm-6.5ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKZener-ProtectedPowerMESH?줚IIMOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-to-backZenerdiodesbetweengateandsource.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequestedb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP7NC80ZFP	文件：542.38 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL800V-1.3ohm-6.5ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKZener-ProtectedPowerMESH?줚IIMOSFET DESCRIPTION ThethirdgenerationofMESHOVERLAY™PowerMOSFETsforveryhighvoltageexhibitsunsurpassedon-resistanceperunitareawhileintegratingback-to-backZenerdiodesbetweengateandsource.SucharrangementgivesextraESDcapabilitywithhigherruggednessperformanceasrequestedb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW7NC80Z
功能描述：
MOSFET TO-247
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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