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STW80NF06	文件：303.95 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 60V - 0.0065OHM - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II POWER MOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW80NF06	文件：351.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW80NF06	文件：314.15 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 0.0065 - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
B80NF06	文件：303.95 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL60V-0.0065OHM-80ATO-220/D2PAK/TO-247STripFETIIPOWERMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
P80NF06	文件：303.95 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL60V-0.0065OHM-80ATO-220/D2PAK/TO-247STripFETIIPOWERMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB80NF06	文件：303.95 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL60V-0.0065OHM-80ATO-220/D2PAK/TO-247STripFETIIPOWERMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB80NF06	文件：345.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB80NF06	文件：314.15 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V-0.0065-80ATO-220/D2PAK/TO-247STripFETIIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP80NF06	文件：314.15 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V-0.0065-80ATO-220/D2PAK/TO-247STripFETIIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP80NF06	文件：372.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
STW80NF06
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
STripFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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