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STW10NB60	文件：93.93 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 600V - 0.69ohm - 10A - TO-247 PowerMESH MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB10NB60S	文件：387.24 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL10A-600V-TO-220/TO-220FP/D2PAKPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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GP10NB60SD	文件：242.95 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL10A-600V-TO-220LowDropPowerMESHTMIGBT Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.ThesuffixSidentifiesafamilyoptimizedachieveminimumon-voltagedropforlowfrequencya	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGF10NB60SD	文件：325.49 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600VTO-220FPPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGP10NB60S	文件：85.89 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600VTO-220PowerMESHIGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“S”identifiesafamilyoptimizedachieveminimumon-voltagedropforlowfrequenc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGP10NB60SDFP	文件：326.67 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600V-TO-220FPPowerMesh??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“S”identifiesafamilyoptimizedachieveminimumon-voltagedropforlowfrequency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NB60SFP	文件：316.17 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600V-TO-220FPPowerMesh??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“S”identifiesafamilyoptimizedachieveminimumon-voltagedropforlowfrequenc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NB60SFP	文件：387.24 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL10A-600V-TO-220/TO-220FP/D2PAKPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP10NB60SFP	文件：318.24 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600V-TO-220FPPowerMesh??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“S”identifiesafamilyoptimizedachieveminimumon-voltagedropforlowfrequencya	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TSM10NB60	文件：667.32 Kbytes Page：7 Pages	Highpowerandcurrenthandlingcapability	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
STW10NB60
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	STW10NB60		11+		28500		询价
深圳市星佑电子有限公司	STW10NB60	ST	06+	TO-247	2380	原装	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	STW10NB60			N/A	3000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	STW10NB60	ST	15+	TO-247	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市利加科技有限公司	STW10NB60	ST	16+	TO-3P	10000	全新原装现货	询价
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更多STW10NB60供应商更新时间2024-5-1 20:36:00

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