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STW20NB50	文件：350.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：350.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STW20NB50	文件：86.82 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET 文件：86.82 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW20NB50	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247	NJS	NJS
W20NB50	文件：1.29794 Mbytes Page：6 Pages	20A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET 文件：1.29794 Mbytes 页数：6 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Power Dissipation：
250000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±30V
Maximum Drain Source Voltage：
500V
Maximum Continuous Drain Current：
20A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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