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STL16N65M5	文件：934.88 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 650 V, 0.270 ohm, 12 A PowerFLAT 8x8 HV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP16N65M5	文件：303.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STP16N65M5	文件：1.10552 Mbytes Page：20 Pages	N-channel650V,0.230廓,12AMDmesh??VPowerMOSFETinTO-220FP,I짼PAK,TO-220,IPAK,TO-247 Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STL16N65M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.27 Ohm 12A Mdmesh V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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