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STGP3NB60KD	文件：326.24 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 6A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH TM IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “K” identifies a family optimized for high frequency motor control applications with 文件：326.24 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP3NB60KDFP	文件：326.24 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 6A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH TM IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “K” identifies a family optimized for high frequency motor control applications with 文件：326.24 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP3NB60KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 10A 50W TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP3NB60S	文件：411.93 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH??IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency a 文件：411.93 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP3NB60	文件：115.89 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, ex 文件：115.89 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP3NB60	文件：56.51 Kbytes Page：6 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, ex 文件：56.51 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP3NB60KD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，3A
开关能量：
30µJ（开），58µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/33ns
测试条件：
480V，3A，10 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 10A 50W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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