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STGP3NB60KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGP3NB60KD |
| 参数属性 | STGP3NB60KD 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 10A 50W TO220 |
| 功能描述 | N-CHANNEL 6A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH TM IGBT |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
326.24 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 23:22:00 |
| 人工找货 | STGP3NB60KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGP3NB60KD规格书详情
STGP3NB60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGP3NB60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “K” identifies a family optimized for high frequency motor control applications with short circuit withstand capability.
■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
■ LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
■ LOW GATE CHARGE
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
■ HIGH FREQUENCY OPERATION
■ SHORT CIRCUIT RATED
APPLICATIONS
■ HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
■ SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCHING
AND RESONANT TOPOLOGIES
产品属性
更多- 产品编号：
STGP3NB60KD
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，3A
- 开关能量：
30µJ（开），58µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/33ns
- 测试条件：
480V，3A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
IGBT 600V 10A 50W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO220-3 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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ST |
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