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STGB20NC60V中文资料30 A, 600 V, very fast IGBT数据手册ST规格书
STGB20NC60V规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• High frequency operation up to 50 kHz
• Lower CRES / CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
• High current capability
技术参数
- 型号：
STGB20NC60V
- 功能描述：
IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
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