Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

Features • High voltage rail up to 1200 V • Driver current capability: 4 A sink/source @25°C • dV/dt transient immunity ±100 V/ns in full temperature range • Overall input-output propagation delay: 75 ns • Separate sink and source option for easy gate driving configuration • 4 A Miller CLAMP

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

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SOIC-8

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TO-263

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TO-263

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D2PAK

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