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STGAP2SICSCTR	文件：716.81 Kbytes Page：22 Pages	Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs Features • High voltage rail up to 1200 V • Driver current capability: 4 A sink/source @25°C • dV/dt transient immunity ±100 V/ns in full temperature range • Overall input-output propagation delay: 75 ns • Separate sink and source option for easy gate driving configuration • 4 A Miller CLAMP 文件：716.81 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STGB19NC60KDT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	ST 上传：深圳市美光存储技术有限公司	ST

更多STGAP2SICSCTR供应商更新时间2026-1-17 16:12:00