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STD878	文件：261.18 Kbytes Page：10 Pages	High current, high performance, low voltage NPN transistors Description ThedevicesaremanufacturedinlowvoltageNPNplanartechnologywith“baseisland”layout.theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain,hFE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD878T4	文件：261.18 Kbytes Page：10 Pages	Marking：D878；Package：DPAK；High current, high performance, low voltage NPN transistors Description ThedevicesaremanufacturedinlowvoltageNPNplanartechnologywith“baseisland”layout.theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain,hFE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD878T4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 5A DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STN878	文件：141.82 Kbytes Page：10 Pages	Mediumcurrent,highperformance,lowvoltageNPNtransistor Description ThedevicesaremanufacturedinlowvoltageNPNplanartechnologywith“baseisland”layout.theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain,hFE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STN878	文件：261.18 Kbytes Page：10 Pages	Highcurrent,highperformance,lowvoltageNPNtransistors Description ThedevicesaremanufacturedinlowvoltageNPNplanartechnologywith“baseisland”layout.theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain,hFE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD-878	文件：41.76 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEDC/DCPOWERCONVERSIONTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
VIM-878	文件：39.16 Kbytes Page：1 Pages	VIM-878	VARITRONIXVaritronix international limited 京东方精电京东方精电有限公司（香港）	VARITRONIX
VIM-878-DP-RC-S-LV	文件：623.24 Kbytes Page：31 Pages	ADS1131REFandADS1231REF	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
XC878	文件：4.37129 Mbytes Page：139 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocontroller	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
XC878C	文件：4.37129 Mbytes Page：139 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocontroller	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
STD878
功能描述：
两极晶体管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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