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STD9N60M2	文件：1.47888 Mbytes Page：21 Pages	Extremely low gate charge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD9N60M2	文件：299.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.78Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
9N60M2	文件：1.1057 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF9N60M2	文件：884.75 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.72??typ.,5.5AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETsinTO-220FPandI2PAKFPpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI9N60M2	文件：884.75 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.72??typ.,5.5AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETsinTO-220FPandI2PAKFPpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL9N60M2	文件：1.04937 Mbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.76??typ.,4.8AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETinaPowerFLAT??5x6HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusinganewgenerationofMDmesh™ technology:MDmeshIIPlus™lowQg.This revolutionaryPowerMOSFETassociatesa verticalstructuretothecompany'sstriplayoutto yieldoneoftheworld'sloweston-resistanceand gatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP9N60M2	文件：1.47888 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP9N60M2	文件：372.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.78Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP9N60M2	文件：1.10861 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STU9N60M2	文件：317.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.78Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
STD9N60M2
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
POWER MOSFET - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
功能描述：
Single N-Channel 650 V 0.78 Ohm 60 W Surface Mount Power Mosfet - DPAK-3
功能描述：
N-channel 600 V 0.78 Ohm 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET DPAK
功能描述：
MOSFET N-Channel 600V 5.5A DPAK
功能描述：
N-channel 600 V 0.78 Ohm 5.5 A MDmesh II Plus Power Mosfet - DPAK
功能描述：
600V,0.72,5.5A,N-Channel Power MOSFET
功能描述：
N-channel 600V,0.72Ohm,5.5A Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STD9N60M2供应商更新时间2025-4-30 14:10:00

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