STD878分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STD878 |
| 参数属性 | STD878 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 5A DPAK |
| 功能描述 | High current, high performance, low voltage NPN transistors |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
261.18 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-28 10:30:00 |
| 人工找货 | STD878价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STD878规格书详情
STD878属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由意法半导体集团制造生产的STD878晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
描述 Description
The devices are manufactured in low voltage NPN planar technology with “base island” layout. the resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
特性 Features
■ Very low collector to emitter saturation voltage
■ DC current gain, hFE >100
■ 5 A continuous collector current
Applications
■ Power management in portable equipment
■ Voltage regulation in bias supply circuits
■ Switching regulator in battery charger applications
■ Heavy load driver
产品属性
更多- 产品编号：
STD878T4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 50mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，1V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN 30V 5A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
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