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STD85N3LH5规格书详情
描述 Description
This product utilizes the 5th generation of design rules of ST’s proprietary STripFETTM technology. The lowest available RDS(on)*Qg, in the standard packages, makes this device suitable for the most demanding DC-DC converter applications, where high power density is to be achieved.
特性 Features
■ RDS(on) * Qg industry benchmark
■ Extremely low on-resistance RDS(on)
■ High avalanche ruggedness
■ Low gate drive power losses
Application
Switching applications
产品属性
- 型号：
STD85N3LH5
- 功能描述：
MOSFET N-channel 30V MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO252 |
20000 |
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询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法 |
10+ |
TO-252 |
1976 |
询价 | |||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
20000 |
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询价 | ||
ST专家 |
25+23+ |
DPAK |
29127 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
4500 |
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询价 | ||
ST |
17+ |
TO252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
新年份 |
TO-252 |
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询价 |
