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STD85N3LH5	文件：299.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD85N3LH5	文件：376.17 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 30 V, 0.0042 廓 , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK STripFET??V Power MOSFET Description Thisproductutilizesthe5thgenerationofdesignrulesofST’sproprietarySTripFETTMtechnology.ThelowestavailableRDS(on)*Qg,inthestandardpackages,makesthisdevicesuitableforthemostdemandingDC-DCconverterapplications,wherehighpowerdensityistobeachieved. F	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STD85N3LH5	文件：1.00352 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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STP85N3LH5	文件：817.56 Kbytes Page：16 Pages	N-channel30V,0.0042廓,80A,DPAK,TO-220,IPAKSTripFET??VPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STU85N3LH5	文件：893.27 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
STD85N3LH5
功能描述：
MOSFET N-channel 30V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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